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    pk10挂机模式真的稳赢: 一种高透薄膜的制备方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    3d精准预测 www.1e2e.net CN201310548946.7

    申请日:

    2013.11.07

    公开号:

    CN103643208A

    公开日:

    2014.03.19

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 登录超时
    IPC分类号: C23C14/35; C23C14/08; C23C14/14; B32B9/04; B32B15/04 主分类号: C23C14/35
    申请人: 中山市创科科研技术服务有限公司
    发明人: 陈路玉
    地址: 528400 广东省中山市火炬开发区创业大厦229号
    优先权:
    专利代理机构: 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 代理人: 吴剑锋
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310548946.7

    授权公告号:

    法律状态公告日:

    2018.11.29

    法律状态类型:

    登录超时

    摘要

    本发明公开了一种高透薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、直流电源溅射Nb平面靶,在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层;B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在Nb2O5层上磁控溅射TiO2层;C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶,在TiO2层上磁控溅射AZO层;D、直流电源溅射银平面靶,在AZO层上磁控溅射Ag层;E、直流电源溅射NiCr合金平面靶,在Ag层上磁控溅射NiCr层;F、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在NiCr层上磁控溅射TiO2层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的高透薄膜的制备方法。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种高透薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
    A、采用氧气作为反应气体,氩气作为?;て?,直流电源溅射Nb平面靶,在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层;
    B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层;
    C、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶,在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层;
    D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层;
    E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层;
    F、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。

    2.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于步骤A中所述Nb2O5层的厚度为20~30nm,氩气与氧气的体积比为1:3,溅射压力2.5*10-3mbar,所述直流电源的溅射功率为30~45KW。

    3.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于步骤B中所述TiO2层的厚度为8~15nm,所述交流电源的溅射功率40~75KW。

    4.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征 在于步骤C中所述AZO层的厚度为20~25nm,所述的交流电源的溅射功率20~25KW。

    5.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm,所述直流电源的溅射功率3~6KW。

    6.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为2~3nm,所述NiCr合金中Ni:Cr的摩尔比21:79,所述直流电源的溅射功率2~3KW。

    7.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于F中所述TiO2层的厚度为20~30nm,所述交流电源的溅射功率为100~150KW,其中包括两个阴极溅射,每个阴极50~75KW。

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    一种 薄膜 制备 方法
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